Resultats de la cerca
Es mostren 25 resultats
metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Qualsevol dels dispositius d’estat sòlid constituïts per transistors d’efecte de camp.
La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar…
estructura FAMOS
Electrònica i informàtica
MOS de porta flotant i injecció per allau utilitzat en famílies de memòries EPROM.
metall-aïllant-semiconductor
Electrònica i informàtica
Nom de caràcter més general que el de MOS que s’aplica a aquells dispositius semiconductors en què la capa aïllant de l’estructura està composta per un dielèctric qualsevol.
Un cas particular de MIS és l’estructura MOS, on el dielèctric és un òxid, generalment de silici
getter
Electrònica i informàtica
Substància que hom introdueix a l’interior dels tubs electrònics de buit que es caracteritza pel fet de posseir una forta afinitat pels gasos i és destinada a eliminar els residus de gas que hi puguin restar un cop fet el buit.
Sovint és emprat el bari, el magnesi o el rubidi Darrerament hom les aplica per a estabilitzar els transistors MOS
memòria RAM dinàmica
Electrònica i informàtica
Memòria d’accés aleatori de gran capacitat relativa, preu baix i poc consum d’energia.
Hom hi inclou les memòries de lectura/escriptura RAM que tenen com a element bàsic per a guardar informació la capacitat porta-font d’un transistor MOS
interfície
Electrònica i informàtica
En física de semiconductors, superfície de contacte entre dos materials diferents.
Té una especial importància la interfície aïllant-semiconductor en estructures MOS perquè és causa d’una successió d’estats d’energia que alteren les característiques elèctriques del dispositiu