Resultats de la cerca
Es mostren 3 resultats
efecte túnel
Electrònica i informàtica
Física
Fenomen que consisteix en la possibilitat que té una partícula elemental de travessar una barrera de potencial el nivell d’energia de la qual és superior al de la partícula.
Si bé no és explicable amb els principis de la mecànica clàssica, constituí una de les primeres confirmacions de la mecànica quàntica amb la interpretació de l’emissió de partícules α d’un nucli atòmic Aquest efecte, que es presenta en les juncions p-n fortament dopades, ha estat aprofitat en els díodes Esaki , dits també díodes d’efecte túnel díode Els treballs de J Tejada i el seu equip, a la Universitat de Barcelona, han permès demostrar l’existència de l’efecte túnel en materials magnètics, prevista teòricament per E Chudnovski el 1988 Consisteix en un canvi espontani de l’…
implantació iònica
Implantació iònica el feix d’ions incideix sobre les mostres mitjançant el tub accelerador
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Procediment que consisteix a bombardejar un material amb àtoms ionitzats de prou energia per a penetrar més enllà de la capa superficial del material.
La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per…
pin
Electrònica i informàtica
Tipus de díode en el qual una capa de material intrínsec o poc dopat i està situada entre dues capes més dopades, una p i l’altra n.
A causa del poc dopatge de la zona i , la majoria del potencial aplicat al díode recau en aquesta regió, la qual dóna lloc a una característica intensitat-voltatge molt interessant, tant en el cas de polarització directa com en el cas de polarització inversa a baixes freqüències es comporta de forma similar a una junció p-n, però a altes freqüències es comporta com una resistència variable Per raó d’aquestes especials característiques, el díode pin té un gran nombre d’aplicacions, sobretot en circuits de microones