Resultats de la cerca

En tecnologia de semiconductors, el dopatge d’un material compost, amb una impuresa que és isoelectrònica respecte a un dels elements constituents, permet de produir centres de recombinació anomenats centres isoelectrònics que són els responsables de les transicions radioactives predominants en materials de banda prohibida indirecta

Fou professor de diverses universitats als EUA i des del 1951 dirigí els laboratoris de recerca de la Westinghouse Els seus treballs sobre les propietats dels semiconductors el conduïren al descobriment de l’efecte que duu el seu nom 1940 i que constitueix el principi dels anomenats díodes Zener , comercialitzats cap al 1952

En els sensors de semiconductors, el corrent és causat per la generació tèrmica dels portadors o per defectes de l’estructura cristallina que fan que la taxa de generació no sigui uniforme En el primer cas, el corrent presenta una estadística de soroll blanc, mentre que en el segon es produeixen pics espuris de senyal

És un gas d’olor desagradable, soluble en els solvents orgànics, que es condensa a -112°C És estable a temperatura ambient i es descompon lentament en l’aigua Hom l’obté per reducció del diòxid de silici amb hidrur d’alumini i liti a 150°C Troba aplicació en electrònica en el dopatge de semiconductors

En el cas de circuits analògics, aquests avantatges són elevades impedàncies d’entrada, baixes impedàncies de sortida i elevada amplada de banda i en el cas de circuits digitals, una alta velocitat de commutació El desavantatge que tenen és un cost i un consum energètic més elevat que altres tecnologies de fabricació de semiconductors

Generalment és una línia de transmissió consistent en un tub de secció rectangular o circular a través del qual es propaguen les ones que són reflectides a les parets interiors En el camp de l’optoelectrònica hom també experimenta amb circuits integrats per a guiar ones electromagnètiques en el rang de l’infraroig fins a les microones La realització d’una guia d’ones sobre un cert material que serveix de substrat consisteix a obtenir una regió d’índex de refracció diferent més alt que el material que l’envolta En materials amorfs hom ho aconsegueix mitjançant la deposició de capes primes de…

Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall

Estudià a Cambridge, on es doctorà el 1948 Treballà en el camp dels semiconductors a Anglaterra, als EUA i al Canadà en diferents empreses i fou professor de diverses universitats angleses i americanes Les seves recerques el conduïren al descobriment de l’efecte que duu el seu nom i que donà a conèixer el 1963 efecte Gunn

Aquesta multiplicació d’electrons lliures i la formació d’ions provoca un augment del corrent a causa de la presència de les partícules carregades electrons i ions, corrent que pot arribar a un valor molt elevat si no és limitat adequadament Aquest fenomen té lloc d’una manera especial en els gasos descàrrega de Townsend i també en els semiconductors

Consistí principalment en la substitució dels tubs electrònics per transistors, dels condensadors amb dielèctric de paper i de mica per uns altres de dielèctrics sintètics, de les resistències de carbó i ceràmiques per unes altres de composició especial, i de les fonts d’alimentació a base de transformadors i reactàncies per díodes i altres semiconductors La subminiaturització ha fet veritablement portàtils i autònoms nombrosos aparells electrònics