difusió d’impureses

f

Electrònica i informàtica

En la fabricació de dispositius electrònics, procés consistent en la deposició d’un determinat nombre d’àtoms d’impureses en la superfície de l’oblia, seguida d’un escalfament del material a fi que els àtoms es difonguin en el substrat semiconductor.

Els paràmetres que controlen el procés són: el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps. A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament. Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides.