díode IMPATT

Impact Ionization Avalanche Transit Time (en)
m
Electrònica i informàtica

Dispositiu semiconductor que presenta resistència negativa a certs senyals de radiofreqüència (microones).

Aquest efecte és produït pel retard entre el corrent originat pels electrons que s’acumulen en una zona de càrrega espacial, i la tensió que ha produït aquests electrons per efecte d'allau. Hom els utilitza com a oscil·ladors de resistència negativa, per a generar microones; poden proporcionar potències d’1 watt a freqüències de l’ordre del GHz, amb eficiències d’un 10-15%.