Si el dopatge és fet amb donadors, el semiconductor obtingut és del tipus n, mentre que si és fet amb acceptors, és del tipus p. A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor. En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom col·loca una mica del metall apropiat. El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica. La localització de la junció per aquest mètode és molt imprecisa ja que depèn de forma crítica del cicle temperatura-temps, que és molt difícil de controlar. A fi d’obtenir un millor control del perfil de les impureses es desenvolupà el mètode de difusió (1955). No obstant això, el mètode més precís per al control dels perfils d’impureses és l’anomenat d'implantació iònica que té l’avantatge respecte als altres que es realitza a temperatures més baixes.
m
Electrònica i informàtica