En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda. Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini. Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un pic de corrent. La possibilitat de formar en un mateix semiconductor dominis separats per intervals de temps molt curts permet d’obtenir oscil·lacions d’alta freqüència (superior al GHz). Aquest efecte és la base del funcionament de l’anomenat díode Gunn emprat en circuits de radar i oscil·ladors d’alta freqüència.
m
Electrònica i informàtica