La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia. En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli. La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor. Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants. La seva creació, és a dir, la creació d’estats energètics desocupats entorn del màxim de la banda de valència pot ésser produïda per generació tèrmica de la següent manera: l’augment de temperatura en el cristall provoca l’augment d’energia cinètica dels electrons de valència i, quan aquesta és suficient, un electró pot passar a la banda de conducció i així esdevenir lliure i deixar un estat desocupat (florat) a la banda de valència. Una situació similar pot ésser realitzada mitjançant la il·luminació amb fotons d’energia superior a la de l’interval d’energia prohibida. Aquests dos processos produeixen el mateix nombre d’electrons lliures i de forats, i aleshores hom diu que en aquest cas el semiconductor és intrínsec. No obstant això, la introducció d'acceptors (àtoms de valència inferior) dóna lloc a la presència addicional d’enllaços lliures, és a dir, una major concentració de forats, i aleshores el semiconductor esdevé de tipus P.
m
Electrònica i informàtica