Quan ambdós semiconductors tenen el mateix tipus de conductivitat, p o n, hom l’anomena heterojunció isotipus; quan la conductivitat és diferent, és una heterojunció anisotipus. D’ençà del 1951, en què W. Schockley proposà l’ús de l’heterojunció abrupta en un transistor bipolar, les heterojuncions han estat estudiades extensivament i hom les ha utilitzades en importants aplicacions com és ara el díode làser d’injecció, el díode emissor de llum LED, fotodetectors, cèl·lules solars, etc. També, hom pot formar capes alternades d’heterojuncions, amb gruixos de capa de l’ordre de 10- 6 cm. Hom obté les anomenades estructures superxarxa, que presenten potencialment importants aplicacions com són els làsers d’heterostructura dits de “pou quàntic”.
f
Electrònica i informàtica