Cada cèl·lula té una regió n+ que constitueix la font, i una porta hexagonal de silici policristal·lí. El corrent flueix des de la font, a través d’un estret canal invertit, cap a la perifèria de cada cèl·lula i després verticalment cap al drenador situat al fons del substrat. Ofereix una alta densitat d’integració i és utilitzat especialment en electrònica de potència pel fet que pot suportar corrents de prop de 100 A, amb tensions de saturació comparables a les dels transistors bipolars de grandària similar.
m
Electrònica i informàtica