És basada en la tecnologia FAMOS, és a dir MOS de porta flotant. El dispositiu presenta dues portes superposades (de metall o silici policristal·lí), una en contacte amb l’exterior i l’altra flotant dins de l’òxid. Quan hom connecta una tensió elevada a la porta exterior i al drenador, s’injecta càrrega a través de l’òxid emmagatzemat a la porta flotant. Aquesta càrrega impedeix que es formi el canal quan s’aplica una tensió usual a la porta, i fa que el MOSFET no sigui conductor, cosa que equival a dir que hi ha un “1” enregistrat en una cèl·lula determinada. Si hom vol esborrar la informació enregistrada en una memòria EPROM, ha d’aplicar-hi una radiació ultravioleta que, en crear parells electró-forat dins de l’òxid, fa que aquest sigui conductor i alliberi així la càrrega acumulada a la porta flotant. Les memòries EPROM disposen d’una finestra que permet el pas de la llum quan hom desitja esborrar-les.
f
Electrònica i informàtica