Si bé també es basa en el gal·li, com els transistors d’arsenur de gal·li (GaAs), els de GaN poden operar a potències i temperatures més altes, motiu pel qual proporcionen més linealitat i eficiència en amplificadors de potència (de desenes a centenars de watts, amb densitats de potència a la ratlla de 0,5 W/mm a 5 W/mm) sobre amples de banda elevats.
m
Química