En un dispositiu metall-aïllant-semiconductor, zona del semiconductor propera a l’aïllant on es produeix una acumulació de portadors minoritaris que inverteixen el caràcter elèctric del semiconductor.
Aquesta inversió es produeix en aplicar al metall un potencial suficient, de signe positiu si es tracta d’un semiconductor de tipus p o negatiu si es tracta d’un semiconductor de tipus n.