Resultats de la cerca

Normalment, per simplificar, s’assimila a una ona quadrada amb una tensió remanent que és un tant per cent de la nominal, i un temps que oscilla entre 100 i 600 millisegons, i que es recupera entre 1 i 3 segons després Els forats de tensió afecten fonamentalment l’electrònica dels consumidors ordinadors, sistemes de control, etc S'originen a partir de pertorbacions a la xarxa elèctrica llampecs o per maniobres del sistema elèctric connexió o desconnexió de centrals, engegada de grans motors, acoblament de transformadors, etc L’entrada a la xarxa elèctrica de nous generadors…

Per a la construcció del circuit imprès hom parteix d’una placa aïllant, generalment de baquelita o d’alguna matèria plàstica, sobre la qual hi ha adherida una capa de material conductor, correntment coure Sobre aquesta capa són dibuixades les pistes conductores, que són recobertes amb alguna substància resistent als àcids Així, atacant la placa amb un àcid, és eliminada la resta del material conductor Després són efectuats els forats per on han de passar els fils de connexió dels components i, un cop són fixats aquests, hom procedeix a l’operació de soldadura, que pot ésser feta…

L’alumini, el bor, el galli i l’indi són els més comuns La presència dels àtoms acceptors crea en l’estructura cristallina una sèrie de forats que contribueixen a augmentar la conductivitat del semiconductor Quan aquest conté acceptors, hom diu que és un semiconductor de tipus p

La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants La seva creació, és a dir, la creació d’estats…

Les potes permeten alhora fixar el component sobre la placa del circuit imprès i establir-ne les connexions elèctriques amb les pistes d’aquest En els cas dels circuits integrats, amb moltes potes a causa de llur complexitat, aquestes són disposades linealment o bé, més sovint, formant dos rengles parallels fins i tot en alguns casos formen un rectangle Per a la collocació dels components en el circuit imprès, cal que aquest hagi estat previst amb els forats convenientment disposats

L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…

Aquest tipus de components són molt més petits que els components de soldadura convencional, fet que afavoreix la miniaturització dels aparells que els incorporen, i això comporta una major dificultat per a treballar-hi Els components SMD es deterioren més ràpidament amb l’escalfament del soldador i a vegades requereixen tècniques especials de soldadura

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…