Resultats de la cerca

Cada cèllula té una regió n + que constitueix la font, i una porta hexagonal de silici policristallí El corrent flueix des de la font, a través d’un estret canal invertit, cap a la perifèria de cada cèllula i després verticalment cap al drenador situat al fons del substrat Ofereix una alta densitat d’integració i és utilitzat especialment en electrònica de potència pel fet que pot suportar corrents de prop de 100 A, amb tensions de saturació comparables a les dels transistors bipolars de grandària similar

La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…