Resultats de la cerca

En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…

Quan ambdós semiconductors tenen el mateix tipus de conductivitat, p o n , hom l’anomena heterojunció isotipus quan la conductivitat és diferent, és una heterojunció anisotipus D’ençà del 1951, en què W Schockley proposà l’ús de l’heterojunció abrupta en un transistor bipolar, les heterojuncions han estat estudiades extensivament i hom les ha utilitzades en importants aplicacions com és ara el díode làser d’injecció, el díode emissor de llum LED, fotodetectors, cèllules solars, etc També, hom pot formar capes alternades d’heterojuncions, amb gruixos de capa de l’ordre de 10 - 6 cm Hom obté…

Té una especial importància la interfície aïllant-semiconductor en estructures MOS perquè és causa d’una successió d’estats d’energia que alteren les característiques elèctriques del dispositiu

Fou descoberta el 1911 per Heike Kamerlingh Onnes i és una propietat característica d’alguns metalls i aliatges Un dels més utilitzats actualment és l’aliatge niobi-estany, que és superconductor a uns −255° El fet d’haver de mantenir aquestes baixes temperatures properes al 0 absolut, per a garantir la superconductivitat en aquests materials, és tècnicament difícil i econòmicament costós, i això ha estat, fins fa pocs anys, un obstacle per al desenvolupament d’una gran quantitat d’aplicacions relacionades amb aquest fenomen El descobriment de JG Bednorz i KA Müller  d’un material…

Els principis fonamentals d’electrònica són l’emissió termoiònica, l’efecte fotoelèctric i les propietats dels semiconductors i dels cristalls El desenvolupament de l’electrònica com a ciència és recent, i gràcies a les seves aplicacions tècniques ha impellit considerablement el de la indústria Crookes obtingué els primers electrons lliures amb el seu tub, i l’any 1886, Hertz, aplicant la teoria de Maxwell, descobrí la manera de produir ones electromagnètiques, bé que fins a la fi del s XIX no tingueren aplicació pràctica El primer a descobrir i a aconseguir la transmissió d’ones a gran…

La recerca de nous superconductors planteja problemes de síntesi D’una banda, cal trobar materials que manifestin superconductivitat i per això cal analitzar les característiques estructurals que la produeixen D’altra banda, la síntesi del material en forma que pugui ésser utilitzat a la indústria és complexa El superconductor que manté aquesta propietat a temperatura més elevada 125 K de temperatura crítica és un compost a base d’òxids de talli i de coure Hi ha actualment unes dotze famílies de compostos que mostren superconductivitat entre 10 i 125 K L’anàlisi d’estructures per…

El seu valor és donat per la fórmula a essent el gruix de la placa o cinta i K una constant, negligible en els materials bons conductors, però apreciable en els semiconductors

En tecnologia de semiconductors, el dopatge d’un material compost, amb una impuresa que és isoelectrònica respecte a un dels elements constituents, permet de produir centres de recombinació anomenats centres isoelectrònics que són els responsables de les transicions radioactives predominants en materials de banda prohibida indirecta