Resultats de la cerca
Es mostren 9 resultats
metal·lografític | metal·lografítica
Electrònica i informàtica
Dit de les escombretes emprades en les màquines elèctriques rotatives, que són constituïdes per una mescla de pols de grafit, coure i altres metalls, premsada i emmotllada.
metal·lització
Electrònica i informàtica
En microelectrònica, procés emprat en la realització de circuits integrats consistent en la deposició de metalls sobre semiconductors o aïllants.
Els contactes obtinguts sobre el semiconductor poden ésser de tipus òhmic o rectificador
CMOS
Electrònica i informàtica
Conjunt constituït per un transistor d’efecte de camp de metall-òxid-semiconductor de canal n muntat en sèrie amb un de canal p.
Constitueixen una família de circuits lògics que es caracteritzen per tenir un consum molt baix de potència, perquè només en consumeixen quan canvien d’estat La seva velocitat i densitat d’integració són intermèdies entre les assolides per les tecnologies NMOS i PMOS És el més utilitzat actualment La raó del seu gran èxit és que aquests xips consumeixen molta menys potència que els basats en altres tecnologies Això els fa especialment aptes per a dispositius que funcionen amb bateries, com els ordinadors portàtils En particular, utilitzen aquesta tecnologia la memòria dels ordinadors que…
metall-aïllant-semiconductor
Electrònica i informàtica
Nom de caràcter més general que el de MOS que s’aplica a aquells dispositius semiconductors en què la capa aïllant de l’estructura està composta per un dielèctric qualsevol.
Un cas particular de MIS és l’estructura MOS, on el dielèctric és un òxid, generalment de silici
metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Qualsevol dels dispositius d’estat sòlid constituïts per transistors d’efecte de camp.
La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…
transistor d’efecte de camp metall-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat
transistor d’efecte de camp de metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor on l’efecte de camp s’aplica a través d’una estructura metall-òxid-semiconductor.
També rep el nom d’IGFET Isolated Gate FET transistor
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…