Resultats de la cerca
Es mostren 2 resultats
implantació iònica
Implantació iònica el feix d’ions incideix sobre les mostres mitjançant el tub accelerador
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Procediment que consisteix a bombardejar un material amb àtoms ionitzats de prou energia per a penetrar més enllà de la capa superficial del material.
La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per tal d’aconseguir unions poc…
arc
Electrònica i informàtica
En un gas ionitzat, tipus de descàrrega que es produeix entre dos electrodes quan el càtode és pròxim de la temperatura d’emissió termoiònica i que es caracteritza per un pas de corrent de gran densitat i una irradiació de llum.
Es diferencia de la guspira perquè aquesta és disruptiva, transitòria i, a més de llum, emet soroll i de l' efluvi perquè aquest és possible amb el càtode fred L’arc presenta una característica tensió-corrent decreixent, és a dir, que la tensió u disminueix quan la intensitat i augmenta, aproximadament segons la llei d’Ayrton u = a + b/ i , on a i b són constants, i per tant la seva resistència equivalent és r = a/ i + b/ i 2 Així, resulta que l’arc és inestable quan s’alimenta d’una font de tensió constant, perquè, un cop establert, si la intensitat tendia a disminuir, la resistència…