Resultats de la cerca

El que es redueix és l’espai que en una situació ideal ocuparien les dades, sense que això signifiqui que en la situació concreta considerada també s’hagi de reduir l’espai ocupat Un cas típic on l’espai ideal i el real no és el mateix és el de la dispersió física de les dades a causa de la fragmentació del suport d’emmagatzematge llavors cal usar part de l’espai d’emmagatzematge per a mantenir els lligams entre les dades, de tal manera que s’hi pugui accedir com un tot, sense necessitat de conèixer-ne la fragmentació física En aquest cas, la compactació reduirà l’espai real usat…

La tècnica de l’encadenament permet l’assignació dinàmica de memòria a les estructures de dades, de tal manera que en tot moment l’espai ocupat per una estructura s’ajusta força a la magnitud de les dades que està guardant En canvi, si la relació entre els elements s’ha de mantenir per contigüitat física no hi ha més remei que sobredimensionar les estructures per tal d’evitar problemes de manca d’espai durant l’execució de les aplicacions

La distribució de Fermi-Dirac representa la probabilitat que un determinat nivell d’energia E del sistema estigui ocupat pels fermions, i és donada per l’expressió on k és la constant de Boltzmann, T és la temperatura absoluta i E F és el nivell de Fermi Per a valors d’energia E tals que E > 5kTE F , la distribució de Fermi-Dirac pot ésser substituïda per l’aproximació clàssica donada per la distribució estadística de Boltzmann, f E = exp- E-E F / kT

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses acceptadores, és a dir, de…

Històricament, fou la part de l’electricitat que es desenvolupà primer Així, l’electrització per fricció de certes substàncies vidre, ambre, etc fou ja coneguda pels grecs, però no fou fins al Renaixement que aquests fenòmens començaren a ésser estudiats científicament i a tenir aplicació pràctica Un cos és en estat neutre si el nombre de càrregues negatives coincideix amb el de càrregues positives Si hom altera l’equilibri entre el nombre de càrregues, el cos s’electritza Això és el que s’esdevé amb l’electrització per fricció, i constitueix l’experiència bàsica de l’electroestàtica Si, per…

L’any va tenir com a gran novetat, tot i l’ha-bitual creixement en potència i nuclis dels microprocessadors, l’estabilització del nou mercat dels telèfons intelligents smart-phones i, sobretot, de les tauletes tablets , en què diversos fabricants van començar a fer competència als iPhone i iPad d’Apple, que ja van comercialitzar noves versions durant el 2011 També cal destacar que va créixer la idea de la “informàtica verda” Green Computing , respectuosa amb el medi ambient, i, sobretot, la força de les xarxes socials quasi ja del tot imprescindibles Sense oblidar la desaparició, en…