Resultats de la cerca
Es mostren 5 resultats
efecte túnel
Electrònica i informàtica
Física
Fenomen que consisteix en la possibilitat que té una partícula elemental de travessar una barrera de potencial el nivell d’energia de la qual és superior al de la partícula.
Si bé no és explicable amb els principis de la mecànica clàssica, constituí una de les primeres confirmacions de la mecànica quàntica amb la interpretació de l’emissió de partícules α d’un nucli atòmic Aquest efecte, que es presenta en les juncions p-n fortament dopades, ha estat aprofitat en els díodes Esaki , dits també díodes d’efecte túnel díode Els treballs de J Tejada i el seu equip, a la Universitat de Barcelona, han permès demostrar l’existència de l’efecte túnel en materials magnètics, prevista teòricament per E Chudnovski el 1988 Consisteix en un canvi espontani de l’orientació…
hodoscopi
Electrònica i informàtica
Aparell que permet de traçar la trajectòria descrita per una partícula carregada en un camp magnètic.
És emprat per a detectar partícules de raigs còsmics
relació càrrega-massa
Electrònica i informàtica
Relació entre la càrrega i la massa d’una partícula ionitzada, i, en particular, relació entre la càrrega i la massa de l’electró.
forat
Electrònica i informàtica
En un semiconductor, nom que rep una partícula «aparent» que representa la vacant deixada en l’enllaç del cristalll per un electró alliberat i que es comporta com si fos una nova partícula lliure amb una càrrega electrònica positiva (+q=1,602·10- 1 9C) i una massa comparable a la de l’electró.
La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants La seva creació, és a dir, la creació d’estats…
teorema de Larmor
Electrònica i informàtica
Física
Teorema segons el qual, en col·locar en el si d’un camp magnètic feble i uniforme un sistema de partícules carregades (com ara els electrons d’un àtom), l’eix de l’òrbita de cada partícula experimenta un lent moviment de precessió al voltant de la direcció del camp.
Aquest fenomen permet d’obtenir informació sobre l’estructura atòmica o molecular