Resultats de la cerca
Es mostren 32 resultats
silici en safir
Electrònica i informàtica
Circuit de tecnologia MOS realitzat sobre un substrat de safir.
Hom els realitza també sobre substrats aïllants, com ara l’òxid de silici, i aleshores reben el nom de SOI Silicon On Insulatur
commutador controlat de silici
Electrònica i informàtica
Tipus de tiristor, disposa de dues portes per a facilitar la commutació de bloqueig a conducció.
rectificador controlat de silici
Electrònica i informàtica
Tipus de tiristor, constituït per una estructura PNPN amb tres elèctrodes, ànode, càtode i porta, i commuta des d’un estat de bloqueig fins a un de conducció mitjançant l’aplicació a l’elèctrode de porta d’un senyal de petita amplitud.
metall-aïllant-semiconductor
Electrònica i informàtica
Nom de caràcter més general que el de MOS que s’aplica a aquells dispositius semiconductors en què la capa aïllant de l’estructura està composta per un dielèctric qualsevol.
Un cas particular de MIS és l’estructura MOS, on el dielèctric és un òxid, generalment de silici
efecte fotovoltaic
Electrònica i informàtica
Efecte fotoelèctric caracteritzat per la producció d’una fem entre dues peces de material diferent que són en contacte i exposades a la llum o, en general, a una radiació electromagnètica.
Aquest efecte és notable entre un metall i un semiconductor i especialment en una junció pn de semiconductor com el silici, i constitueix el principi de les cèllules fotovoltaiques
donador
Electrònica i informàtica
En un semiconductor, àtom contingut com a impuresa o incorporat intencionadament a un element capaç de donar un electró.
En un semiconductor de silici, generalment són emprats l’antimoni, el fòsfor i l’arsènic El semiconductor amb àtoms donadors presenta una conductivitat elevada deguda als electrons lliures un semiconductor en aquestes condicions és anomenat de tipus n
metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Qualsevol dels dispositius d’estat sòlid constituïts per transistors d’efecte de camp.
La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…
semiconductor policristal·lí
Electrònica i informàtica
Física
Química
Compost constituït per grans, cadascun dels quals presenta una distribució periòdica dels àtoms com un cristall.
Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall
commutatriu
Electrònica i informàtica
Màquina elèctrica rotativa per a convertir corrent altern (monofàsic, trifàsic o hexafàsic) en corrent continu, o, a la inversa, per a convertir corrent continu en altern; és, doncs, un convertidor reversible.
Actualment, ja no se'n construeixen, perquè han estat superades pels convertidors estàtics, primerament pels de vapor de mercuri, i darrerament pels de semiconductors seleni, silici Era una màquina de corrent continu, però el seu induït, a més del collector, tenia un joc d’anells per on, amb unes escombretes, prenia o donava el corrent altern el corrent continu entrava o sortia pel collector També podia treballar com a convertidor de freqüència
implantació iònica
Implantació iònica el feix d’ions incideix sobre les mostres mitjançant el tub accelerador
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Procediment que consisteix a bombardejar un material amb àtoms ionitzats de prou energia per a penetrar més enllà de la capa superficial del material.
La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per tal d’aconseguir unions poc…