Resultats de la cerca

Hom pren com a referència la longitud d’ona de 655μm

Així, aquesta i la del cos negre tenen el mateix cromatisme

Generalment són fetes amb material semiconductor i tenen un coeficient de temperatura negatiu dites resistències NTC Tenen diverses aplicacions, especialment per a la mesura de temperatures i en circuits de regulació, estabilització o compensació de temperatura També n'hi ha amb coeficient de temperatura positiu resistències PTC

Anomenat també efecte Meissner-Ochsenfeld , fou descobert el 1933 El resultat de l’efecte és que el camp magnètic a l’interior d’un superconductor és nul per tant, un superconductor és una substància perfectament diamagnètica La conseqüència és que si hom colloca un imant sobre un superconductor a una temperatura inferior a la crítica, aquest flota

Els paràmetres a mesurar són la conductivitat, la temperatura i la pressió, encara que també pot enregistrar altres paràmetres, com ara nivells nutritius o concentracions de clorofiŀla Amb les dades de conductivitat, temperatura i pressió es poden obtenir els valors de salinitat o densitat de l’aigua

Té una gran aplicació en circuits electrònics de control, regulació, automatisme, radiotècnia, etc Hi ha diferents tipus de resistències no lineals Unes de les més utilitzades són les resistències variables amb la temperatura, entre les quals n'hi ha de coeficient de temperatura negatiu conegudes com a resistències NTC i de coeficient positiu conegudes com a resistències PTC també són corrents les de valor variable dependent de la llum LDR i les de valor dependent de la tensió VDR

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…

Els paràmetres que controlen el procés són el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides