Resultats de la cerca
Es mostren 103 resultats
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris…
cèl·lula fotovoltaica

Panells fotovoltaics a la teulada d'una casa
© Parlament Europeu
Tecnologia
Dispositiu que, per mitjà de l’efecte fotovoltaic, converteix una radiació lluminosa en un corrent elèctric.
Actualment la majoria de les cèllules fotovoltaiques es fabriquen a partir de semiconductors, especialment silici i compostos com ara telluri i sulfur de cadmi, arsenur de galli o CIS coure, indi i seleni, amb els quals es creen juncions amb una capa que té un excés de càrregues negatives i una altra amb excés de càrregues positives La incidència de fotons sobre la cèllula fa possible la generació de corrent elèctric entre les dues capes, amb unes característiques de corrent i tensió pròpies per a cada model o tipus de cèllula Tret de les cèllules de capa fina deposicions sobre substrats més…
triac
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic semiconductor emprat per a controlar i regular un corrent altern.
És constituït bàsicament per una sèrie de quatre capes p i n alternades i amb quatre elèctrodes externs El triac es comporta com un circuit format per dos tiristors connectats en parallel i oposats, i pot conduir així les dues alternances del corrent altern
díode IMPATT
Electrònica i informàtica
Dispositiu semiconductor que presenta resistència negativa a certs senyals de radiofreqüència (microones).
Aquest efecte és produït pel retard entre el corrent originat pels electrons que s’acumulen en una zona de càrrega espacial , i la tensió que ha produït aquests electrons per efecte d' allau Hom els utilitza com a oscilladors de resistència negativa, per a generar microones poden proporcionar potències d’1 watt a freqüències de l’ordre del GHz, amb eficiències d’un 10-15%
extrínsec | extrínseca
Electrònica i informàtica
Dit del semiconductor que conté impureses que influeixen en les seves propietats elèctriques.
tel·luri
Química
Element químic, de nombre atòmic 52 i símbol Te, pertanyent al grup VIA de la taula periòdica.
Fou descobert l’any 1789 per FJMulber von Reichenstein, i el nom li fou donat l’any 1798 per MHKlaproth El telluri natural és constituït per una mescla de vuit isòtops, un dels quals 1 2 7 Te és radioactiu, amb una vida mitjana d’1,2X10 1 3 anys, amb masses que van de 120 a 130, i que determinen un pes atòmic de 127,60 En són també coneguts 21 radioisòtops artificials Tot i ésser un element rar constitueix un 10 - 6 % del pes de l’escorça terrestre, és àmpliament distribuït a la natura Ocorre rarament natiu, i els seus minerals més importants són telluriurs També ocorre, en forma dispersa,…
electró excedent
Física
En un semiconductor, electró introduït per una impuresa i disponible per a la conducció.
intrínsec | intrínseca
Electrònica i informàtica
Dit del semiconductor pur i amb propietats elèctriques corresponents a les d’un cristall ideal.
punt quàntic
Física
Material semiconductor de petites dimensions (de l’ordre dels nanòmetres) que pot confinar un electró, o uns quants.
Les seves propietats varien notablement segons el nombre d’electrons que contenen, cosa que ha fet que siguin considerats utilitzables per a imatgeria mèdica, com també com a bits quàntics qubits
passivació
Electrònica i informàtica
Operació de recobriment superficial d’un cristall semiconductor mitjançant una capa de material aïllant resistent als agents exteriors.
Paginació
- Primera pàgina
- Pàgina anterior
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- Pàgina següent
- Última pàgina