Resultats de la cerca
Es mostren 103 resultats
semiconductor
Model de bandes d’energia dels semiconductors
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Física
Química
Substància intermediària entre els bons conductors i els aïllants.
L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…
semiconductor amorf
Electrònica i informàtica
Física
Química
Semiconductor no cristal·lí els àtoms del qual no presenten un ordre periòdic de llarg abast tot i que a escala atòmica no estiguin completament desordenats.
La necessitat de realitzar enllaços obliga a un cert ordenament i imposa unes certes limitacions al voltant dels àtoms veïns més pròxims Aquesta ordenació a curta distància és la responsable de les propietats observades en aquests materials, com són la seva conductivitat elèctrica o el seu llindar d’absorció òptica El semiconductor amorf que presenta un interès més gran és el silici amorf que té aplicació en les cèllules solars de baix cost, utilitzades en aplicacions terrestres i en l’obtenció de pantalles planes per a comunicacions audiovisuals
metall-aïllant-semiconductor
Electrònica i informàtica
Nom de caràcter més general que el de MOS que s’aplica a aquells dispositius semiconductors en què la capa aïllant de l’estructura està composta per un dielèctric qualsevol.
Un cas particular de MIS és l’estructura MOS, on el dielèctric és un òxid, generalment de silici
metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Qualsevol dels dispositius d’estat sòlid constituïts per transistors d’efecte de camp.
La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…
semiconductor policristal·lí
Electrònica i informàtica
Física
Química
Compost constituït per grans, cadascun dels quals presenta una distribució periòdica dels àtoms com un cristall.
Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall
detector de semiconductor
Física
Detector constituït per un semiconductor en el qual la radiació allibera portadors de càrrega que produeixen un senyal elèctric.
transistor d’efecte de camp metall-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat
transistor d’efecte de camp de metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor on l’efecte de camp s’aplica a través d’una estructura metall-òxid-semiconductor.
També rep el nom d’IGFET Isolated Gate FET transistor
CMOS
Electrònica i informàtica
Conjunt constituït per un transistor d’efecte de camp de metall-òxid-semiconductor de canal n muntat en sèrie amb un de canal p.
Constitueixen una família de circuits lògics que es caracteritzen per tenir un consum molt baix de potència, perquè només en consumeixen quan canvien d’estat La seva velocitat i densitat d’integració són intermèdies entre les assolides per les tecnologies NMOS i PMOS És el més utilitzat actualment La raó del seu gran èxit és que aquests xips consumeixen molta menys potència que els basats en altres tecnologies Això els fa especialment aptes per a dispositius que funcionen amb bateries, com els ordinadors portàtils En particular, utilitzen aquesta tecnologia la memòria dels ordinadors que…