Metal Semiconductor Field Effect Transistor (en), MESFET
m
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència (microones) i de la commutació a alta velocitat.