Resultats de la cerca

Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt…

Si bé no és explicable amb els principis de la mecànica clàssica, constituí una de les primeres confirmacions de la mecànica quàntica amb la interpretació de l’emissió de partícules α d’un nucli atòmic Aquest efecte, que es presenta en les juncions p-n fortament dopades, ha estat aprofitat en els díodes Esaki , dits també díodes d’efecte túnel díode Els treballs de J Tejada i el seu equip, a la Universitat de Barcelona, han permès demostrar l’existència de l’efecte túnel en materials magnètics, prevista teòricament per E Chudnovski el 1988 Consisteix en un canvi espontani de l’…

Aquest fenomen fou descobert per Destriau el 1936 excitant una placa de sulfur de zinc amb corrent altern, però no fou utilitzat fins el 1952 que uns enginyers de Sylvania Electrical Products Inc desenvoluparen un panell electroluminescent a base de pols de sulfur de zinc En qualsevol procés electroluminescent l’energia elèctrica comunicada als electrons lliures d’un sòlid és transformada en llum L’energia elèctrica provoca un augment d’energia potencial o cinètica dels electrons que, en un procés posterior, es desexciten a estats de menys energia i emeten un fotó Segons la natura dels estats…

Actualment la majoria de les cèllules fotovoltaiques es fabriquen a partir de semiconductors, especialment silici i compostos com ara telluri i sulfur de cadmi, arsenur de galli o CIS coure, indi i seleni, amb els quals es creen juncions amb una capa que té un excés de càrregues negatives i una altra amb excés de càrregues positives La incidència de fotons sobre la cèllula fa possible la generació de corrent elèctric entre les dues capes, amb unes característiques de corrent i tensió pròpies per a cada model o tipus de cèllula Tret de les cèllules de capa fina deposicions sobre substrats més…

En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…

Una memòria es caracteritza de forma general per la seva capacitat nombre de bits que pot emmagatzemar i pel temps d’accés a una determinada informació Moltes vegades, la informació és enregistrada dins la memòria en grups de bits accessibles simultàniament, anomenats posicions o paraules agrupacions normals de 8 bits, denominada també byte , 16 bits, etc Segons el tipus d’accés a les posicions de la memòria i la possibilitat o no d’esborrar la informació que hi és enregistrada, aquestes es classifiquen en memòries d’accés aleatori Random Access Memory , RAM i en memòries solament de lectura…