Resultats de la cerca
Es mostren 7 resultats
nivell de Fermi
Electrònica i informàtica
Física
Valor de la posició energètica en la qual un estat d’energia té una probabilitat d’un 50% d’ésser ocupat per fermions.
És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…
memristor
Física
Element d’un circuït elèctric passiu caracteritzat pel fet de posseir una resistència que varia en funció del corrent que hi passa, essent capaç d’emmagatzemar informació.
Fou descrit teòricament el 1971 El 2008 fou desenvolupat per primer cop als laboratoris d’una empresa privada als Estats Units mitjançant la unió d’una capa de diòxid de titani sotmès a dopatge a una capa del mateix material sense dopar Hom estudia la utilització d’aquest element en el desenvolupament de memòries electròniques més eficients i en la construcció d’ordinadors i xarxes informàtiques que funcionin de manera similar al dels circuits neuronals
piezoresistència
Física
Característica del cos que s’oposa de manera variable al pas del corrent elèctric segons la força mecànica a la que sigui sotmès.
Aquesta característica fou estudiada des de mitjan segle XX en cristalls de silici i de germani sotmesos a dopatge, i s’aprofità per a desenvolupar elements de circuit elèctric que exercien de sensors mecànics, sobretot a partir de silici Aquests sensors foren perfeccionats i miniaturitzats mitjançant processos nanotecnològics fins a esdevenir sistemes microelectromecànics MEMS al final del mateix segle, i es continua investigant per optimitzar el funcionament dels transistors de silici El 2006 un equip de físics dels EUA afirmaren observar el que anomenaren piezoresistència…
Física 2016
Física
Escoltant la simfonia de l’Univers Senyal registrat pels detectors de Hanford i Livingston Es representa en color la intensitat de cada freqüència al llarg del temps Sobre un fons blau, destaca el senyal en groc que creix ràpidament, fins a desaparèixer cap als 0,43 segons Aquest senyal concorda amb les prediccions de la relativitat general per a la fusió de dos forats negres de masses aproximades d’entre 36 i 29 masses solars © B P Abbott / LIGO Scientific Collaboration & Virgo Collaboration La notícia científica de l’any va ser que les pertorbacions de l’espaitemps, les anomenades ones…
semiconductor

Model de bandes d’energia dels semiconductors
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Física
Química
Substància intermediària entre els bons conductors i els aïllants.
L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…
dopant
Física
En la fabricació d’una cèl·lula fotovoltaica, element que disposa d’un electró més o menys a la banda de valència que el semiconductor utilitza com a base de l’esmentada cèl·lula i que s’utilitza per al seu dopatge, el primer de la capa il·luminada (capa p) i el segon de la capa posterior (capa n).
Física 2018
Física
Grafè superconductor El grafè amb electrons esdevé un material superconductor, mentre que el grafè bicapa esdevé un aïllant de Mott canviant l’orientació relativa de les dues capes © AlexanderAlUS La notícia de l’any en física va ser la demostració que es pot controlar la conductivitat elèctrica de materials bidimensionals bicapa canviant l’orientació relativa de les dues capes El grup de l’investigador valencià Pablo Jarillo-Herrero del MIT va publicar dos articles en què mostrava, en primer lloc, que el grafè bicapa –un material format per només dues capes de grafè– esdevé un aïllant de…