Resultats de la cerca

L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…

La necessitat de realitzar enllaços obliga a un cert ordenament i imposa unes certes limitacions al voltant dels àtoms veïns més pròxims Aquesta ordenació a curta distància és la responsable de les propietats observades en aquests materials, com són la seva conductivitat elèctrica o el seu llindar d’absorció òptica El semiconductor amorf que presenta un interès més gran és el silici amorf que té aplicació en les cèllules solars de baix cost, utilitzades en aplicacions terrestres i en l’obtenció de pantalles planes per a comunicacions audiovisuals

Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall

El material semiconductor s’incorpora sobre un substrat mitjançant un procés de deposició Algunes d’aquestes cèllules actualment comercialitzades són les cèllules de silici amorf, les de silici nanocristallí, les de tellur de cadmi, les CIS o CIGS selenur de galli, indi i coure, etc

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…

El 1952 es doctorà en física teòrica a la Universitat de Göttingen Treballa al departament de materials de la Universitat de Califòrnia a Santa Barbara Rebé el premi Nobel de física del 2000 juntament amb Zhores IAlferov i Jack SKilby, pel desenvolupament d’heteroestructures de semiconductor usades en electrònica d’alta velocitat i optoelectrònica, presents actualment en els lectors òptics, els discs compactes i els mitjans d’emmagatzematge d’informació, entre d’altres Els tres guardonats establiren les bases de la moderna tecnologia de la informació

El 2006 un equip de científics anglesos i ucraïnesos publicà un article en què afirmava haver aconseguit construir un sàser basat en l’excitació elèctrica d’un metamaterial format per un semiconductor i un aïllant alternats en una pila d’una cinquantena de capes d’un sol àtom d’alt cadascuna, que amplifica un so, també a partir d’una vibració quantitzada, amb una freqüència prop dels 440 GHz El 2010 un grup de científics de Califòrnia publicaren haver aconseguit construir un sàser basat en l’excitació mecànica, efectuada per un làser òptic, d’un parell de peces tòriques separades…

Es graduà 1947 i doctorà 1950 a la Universitat McGill de Mont-real Després de dos anys com a professor de física al Royal Military College of Canada, el 1953 s’incorporà als Bell Laboratories, on formà part de l’equip que dissenyà el primer làser continu de robí 1962 Aquest any fou nomenat director de recerca espacial de Bellcomm, filial de Bell Laboratories, on collaborà en el programa Apollo De nou als Bell Laboratories 1964, treballà en el desenvolupament de circuits integrats i, amb George E Smith, el 1969 inventà el detector de dispositiu d’acoblament de càrrega CCD, un sensor proveït d…