Resultats de la cerca

L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…

Els electrons dels materials semiconductors podran passar de la banda de valència a la de conducció si reben prou energia per saltar la banda prohibida

Fou un dels contribuïdors més decisius en l’estudi dels semiconductors i llurs aplicacions perfeccionà el primitiu transistor i elaborà el de junció Publicà Electrons and Holes in Semiconductors 1950, obra bàsica en aquest camp El 1956 rebé, juntament amb Bardeen i Brattain, el premi Nobel de física

Llicenciat en Ciències Físiques per la Universitat de Barcelona 1972, doctor en Ciències Físiques per la Universitat Autònoma de Barcelona 1978 i Docteur d’État per la Universitat de Montpeller 1979 Catedràtic de Física Aplicada de la Universitat Autònoma de Barcelona des del 1993 i director de l’Institut Català de Nanotecnologia des del 2005 El 1997 rebé la Medalla Narcís Monturiol al mèrit científic i tecnològic de la Generalitat de Catalunya per l’estudi espectroscòpic dels estats electrònics i de vibracions dels semiconductors, i per l’activitat formativa i organitzativa…

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses acceptadores, és a…

Graduat 1967 i doctorat 1971 en física de semiconductors per la Universitat Tecnològica de Hèlsinki, els anys 1968-73 treballà al centre estatal de recerca tècnica VTT, on desenvolupà un sensor d’humitat per a la companyia Vaisala Oyj 1973 El 1974 s’incorporà a aquesta companyia, on dissenyà la tecnologia de la deposició de capes primes, o deposició de capes atòmiques en anglès, atomic layer deposition , ALD, que ha tingut una gran importància en el desenvolupament de pantalles planes electroluminescents Del 1987 al 1997 treballà a Microkemia, filial de Neste/Fortum Corporation,…

Fou director de l’institut fisicoagronòmic de Leningrad i membre directiu de l’Acadèmia de Ciències de l’URSS Estudià les propietats físiques i elèctriques dels cristalls i dels semiconductors

Fou professor a Rostock 1923-26 i contribuí decisivament al desenvolupament de l’electrònica, de la teoria electrònica dels metalls i semiconductors i de l’emissió termoelectrònica, on descobrí l’efecte que duu el seu nom

Fou professor de diverses universitats als EUA i des del 1951 dirigí els laboratoris de recerca de la Westinghouse Els seus treballs sobre les propietats dels semiconductors el conduïren al descobriment de l’efecte que duu el seu nom 1940 i que constitueix el principi dels anomenats díodes Zener , comercialitzats cap al 1952

Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall