Resultats de la cerca

Hom distingeix dues classes de dislocacions les de tascó , en què la distorsió de la xarxa cristallina és produïda per la introducció parcial d’un pla d’àtoms extraordinari, i la màxima pertorbació de la regularitat de la xarxa, és a dir, la dislocació pròpiament dita, és a les proximitats del pla extraordinari, o sia allà on acaba bruscament la intromissió d’aquest pla a l’interior del sòlid, i les helicoidals , per a descriure les quals hom acostuma a donar un procediment imaginari de produir-les Així, hom suposa que dins un cristall real es produeix un tall parcial i que el material d’un…

En el mecanisme proposat per Orowan, hom suposa que la dislocació es duplica en forma d’anells expansius al voltant de les partícules de precipitat Quan hi ha la intersecció d’anells adjacents, per la banda més allunyada de les partícules respectives, els anells s’anullen I aquesta anullació permet que continuï la dislocació, però deixa un anell de dislocació al voltant de la partícula, el camp d’esforços de la qual augmenta la resistència al moviment de la dislocació següent

Dins tots els sòlids hi ha defectes, ja siguin causats en el moment de llur formació o bé per accions posteriors, i llur presència es reflecteix palesament en les propietats elèctriques, òptiques, magnètiques, tèrmiques i mecàniques d’un sòlid, les quals depenen del nombre i de la classe de defectes presents a la mostra considerada Els principals defectes d’un cristall són els defectes puntuals , els defectes lineals , els defectes superficials i els defectes volúmics Els defectes puntuals d’un sòlid són classificats en dues categories principals els deguts als àtoms que constitueixen…