Resultats de la cerca

La necessitat de realitzar enllaços obliga a un cert ordenament i imposa unes certes limitacions al voltant dels àtoms veïns més pròxims Aquesta ordenació a curta distància és la responsable de les propietats observades en aquests materials, com són la seva conductivitat elèctrica o el seu llindar d’absorció òptica El semiconductor amorf que presenta un interès més gran és el silici amorf que té aplicació en les cèllules solars de baix cost, utilitzades en aplicacions terrestres i en l’obtenció de pantalles planes per a comunicacions audiovisuals

La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per tal d’aconseguir unions poc…

És degut al fregament dels electrons lliures amb els àtoms i els altres electrons La quantitat de calor produïda és donada per la llei de Joule

En un semiconductor de silici, generalment són emprats l’antimoni, el fòsfor i l’arsènic El semiconductor amb àtoms donadors presenta una conductivitat elevada deguda als electrons lliures un semiconductor en aquestes condicions és anomenat de tipus n

En un medi conductor es produeix un corrent elèctric quan les càrregues elèctriques es mouen en una direcció definida impulsades per un camp elèctric El corrent elèctric es pot propagar en conductors metàllics, en solucions electrolítiques i en gasos ionitzats Els electrons lliures d’un metall es mouen desordenadament entre els àtoms que formen la xarxa cristallina Quan un conductor se sotmet a una diferència de potencial per exemple, mitjançant una pila, totes les càrregues elèctriques es desplacen en una mateixa direcció, impulsades pel camp elèctric creat, constituint el…

L’alumini, el bor, el galli i l’indi són els més comuns La presència dels àtoms acceptors crea en l’estructura cristallina una sèrie de forats que contribueixen a augmentar la conductivitat del semiconductor Quan aquest conté acceptors, hom diu que és un semiconductor de tipus p

La clau del model està en la idea que la interacció electromagnètica és transmesa gràcies a l’intercanvi de fotons, els quals són descrits mitjançant camps Les prediccions teòriques de l’electrodinàmica són les més precises de la física En un experiment realitzat el 2010 que mesurà el radi del protó en àtoms d’hidrogen en què els electrons havien estat substituïts per muons negatius, s’obtingué un valor significativament més baix per aquest que el que s’acceptava fins aleshores, de manera que hom s’està replantejant la precisió de l’electrodinàmica quàntica, o com a mínim la manera com s’han…

Si bé no és explicable amb els principis de la mecànica clàssica, constituí una de les primeres confirmacions de la mecànica quàntica amb la interpretació de l’emissió de partícules α d’un nucli atòmic Aquest efecte, que es presenta en les juncions p-n fortament dopades, ha estat aprofitat en els díodes Esaki , dits també díodes d’efecte túnel díode Els treballs de J Tejada i el seu equip, a la Universitat de Barcelona, han permès demostrar l’existència de l’efecte túnel en materials magnètics, prevista teòricament per E Chudnovski el 1988 Consisteix en un canvi espontani de l’orientació…

Generalment és una línia de transmissió consistent en un tub de secció rectangular o circular a través del qual es propaguen les ones que són reflectides a les parets interiors En el camp de l’optoelectrònica hom també experimenta amb circuits integrats per a guiar ones electromagnètiques en el rang de l’infraroig fins a les microones La realització d’una guia d’ones sobre un cert material que serveix de substrat consisteix a obtenir una regió d’índex de refracció diferent més alt que el material que l’envolta En materials amorfs hom ho aconsegueix mitjançant la deposició de capes primes de…

La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants La seva creació, és a dir, la creació d’estats…