Resultats de la cerca
Es mostren 12 resultats
Bipolar-CMOS

CMOS
© fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Tecnologia de fabricació de circuits integrats en la qual es combinen en un mateix component transistors bipolars amb transistors CMOS per a obtenir els avantatges d’ambdues tecnologies.
En el cas de circuits analògics, aquests avantatges són elevades impedàncies d’entrada, baixes impedàncies de sortida i elevada amplada de banda i en el cas de circuits digitals, una alta velocitat de commutació El desavantatge que tenen és un cost i un consum energètic més elevat que altres tecnologies de fabricació de semiconductors
criotró
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic, basat en la propietat de superconductivitat de certs aliatges, emprat com a relé.
Fou ideat el 1956 per D&A Buck Actualment són formats per dos metalls, generalment plom i estany, dipositats en capes primes sobre làmines de vidre Per a controlar-ne el corrent hom fa servir un camp magnètic El conjunt funciona a temperatures molt baixes, pròximes al zero absolut El criotró és de dimensions molt reduïdes i ha estat emprat en vehicles espacials
efecte Hall quàntic
Electrònica i informàtica
Efecte Hall que es dóna en electrons confinats en un semiconductor, sotmesos a baixes temperatures i a intensos camps magnètics.
Hom pot distingir l’efecte anomenat integral i l’anomenat fraccionari, els quals fan referència a la forma d’expressar la resistència de Hall respecte del quocient h/e 2 , on h és la constant de Planck i e la càrrega de l’electró
pin
Electrònica i informàtica
Tipus de díode en el qual una capa de material intrínsec o poc dopat i està situada entre dues capes més dopades, una p i l’altra n.
A causa del poc dopatge de la zona i , la majoria del potencial aplicat al díode recau en aquesta regió, la qual dóna lloc a una característica intensitat-voltatge molt interessant, tant en el cas de polarització directa com en el cas de polarització inversa a baixes freqüències es comporta de forma similar a una junció p-n, però a altes freqüències es comporta com una resistència variable Per raó d’aquestes especials característiques, el díode pin té un gran nombre d’aplicacions, sobretot en circuits de microones
interfície de distribució de dades per fibra òptica
Electrònica i informàtica
Tipus de xarxa de fibra òptica caracteritzada pel mètode d'accés de pas de testimoni i per una disposició física en anell doble.
El tipus bàsic consisteix en dos anells concèntrics de fibra òptica que transmeten dades en sentits oposats, a una velocitat de 100 Mbps, procedents d’altres xarxes de velocitats més baixes, per a les quals fa la funció de backbone Tot i que les FDDI poden atènyer més de 100 km de llargada xarxa d’àrea àmplia o WAN, troben aplicació corrent tant a les xarxes d’àrea metropolitana MAN com a les d’àrea local LAN La necessitat de transmetre la veu per commutació de circuits juntament amb les dades per commutació de paquets ha donat lloc a l’FDDI-II, que té, però, un límit de llargada inferior…
pila de protocols
Electrònica i informàtica
Conjunt de protocols de xarxa que permeten la provisió d’un o més serveis de telecomunicacions.
El conjunt de les diferents funcions necessàries per a permetre la provisió d’un servei de comunicacions es divideix en diferents subsistemes Aquests subsistemes s’ordenen en una estructura de pila amb diferents nivells o capes, de manera que una capa només es relaciona amb la capa que té a sobre i amb la que té per sota Les capes més baixes es relacionen amb el maquinari i amb el medi de transmissió, mentre que les capes superiors són el punt de contacte amb l’usuari Per tal de desenvolupar les funcions que li són assignades, dintre de cada capa es defineixen una sèrie de…
dopatge
Electrònica i informàtica
Addició de petites quantitats d’impureses mitjançant diversos procediments a un semiconductor intrínsec a fi de modificar-ne les propietats, convertint-lo, així, en extrínsec.
Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt imprecisa ja que…
pont
Electrònica i informàtica
Conjunt d’elements físics (resistències, impedàncies o capacitats) distribuïts en quatre braços que formen un circuit tancat, alimentats elèctricament entre dos nusos diagonalment oposats i que tenen connectat un detector de corrent entre els altres dos.
Els ponts són utilitzats per a determinar el valor d’un dels elements quan són coneguts els dels altres que el constitueixen Per això, hom fa variar el valor d’un d’ells fins a aconseguir que el detector de corrent doni senyal nul pel fet de trobar-se els seus extrems a igual potencial i fase, i aleshores hom diu que el pont està en equilibri Si la mesura és feta sense que el pont estigui en equilibri, cal que el detector de corrent estigui convenientment calibrat Els ponts emprats per a la mesura de resistències pures són alimentats amb corrent continu, però els que han de determinar…
quarta generació
Electrònica i informàtica
Conjunt d’estàndards tecnològics per a les xarxes de telefonia mòbil.
La 4G, que és una evolució de la 3G, està basada en el protocol IP Per tant, s’estableix com un sistema de sistemes o xarxa de xarxes i fa convergir, en un sol sistema, xarxes de cable, xarxes sense fils i també ordinadors o altres tipus de dispositius electrònics La 4G no és una tecnologia o un estàndard definit, sinó una collecció de tecnologies i protocols que permeten el màxim rendiment de processat amb la xarxa sense fils més barata Es caracteritza per la gran velocitat mantenint la qualitat del servei en tot el sistema Al març del 2008, la secció de radiocomunicacions de la Unió…
implantació iònica

Implantació iònica el feix d’ions incideix sobre les mostres mitjançant el tub accelerador
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Procediment que consisteix a bombardejar un material amb àtoms ionitzats de prou energia per a penetrar més enllà de la capa superficial del material.
La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per tal d’aconseguir unions poc…