Resultats de la cerca

Es mostren 4 resultats

efecte Gunn

Electrònica i informàtica
Efecte descobert el 1963 pel físic J.B. Gunn, en els semiconductors del grup III-V com l’arsenur de gal·li i el fosfur de gal·li de tipus n.
En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…
Gran enciclopèdia catalana

junció

Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…
Gran enciclopèdia catalana

díode

Díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io

Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…
Gran enciclopèdia catalana

transistor

Tira de transistor bipolars

© Fototeca.cat

Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…
Gran enciclopèdia catalana