Resultats de la cerca
Es mostren 3 resultats
fotoexcitació
Electrònica i informàtica
Procés de generació de portadors (electrons i forats) que es produeix quan una radiació lluminosa d’energia suficient incideix sobre la superfície d’un semiconductor (volúmic o en forma de capa prima).
Aquest procés de generació pot ésser degut a transicions banda-banda intrínseques o a transicions en les quals participen nivells energètics situats a l’interval d’energia prohibida transicions extrínseques, originats per la presència de defectes o impureses en el semiconductor
electroluminescència
Electrònica i informàtica
Luminescència que presenten certs sòlids en ésser excitats per un camp elèctric.
Aquest fenomen fou descobert per Destriau el 1936 excitant una placa de sulfur de zinc amb corrent altern, però no fou utilitzat fins el 1952 que uns enginyers de Sylvania Electrical Products Inc desenvoluparen un panell electroluminescent a base de pols de sulfur de zinc En qualsevol procés electroluminescent l’energia elèctrica comunicada als electrons lliures d’un sòlid és transformada en llum L’energia elèctrica provoca un augment d’energia potencial o cinètica dels electrons que, en un procés posterior, es desexciten a estats de menys energia i emeten un fotó Segons la natura dels estats…
forat
Electrònica i informàtica
En un semiconductor, nom que rep una partícula «aparent» que representa la vacant deixada en l’enllaç del cristalll per un electró alliberat i que es comporta com si fos una nova partícula lliure amb una càrrega electrònica positiva (+q=1,602·10- 1 9C) i una massa comparable a la de l’electró.
La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants La seva…