Resultats de la cerca

En alguns casos, presenten un llindar de tensió a partir del qual hi ha un canvi brusc de la zona d’alta resistència a la de baixa És anomenada també resistència no lineal

Generalment és constituït per un díode de junció díode amb les característiques d’intensitat-tensió pròpies d’aquest tipus de dispositius semiconductors així, per als petits voltatges, presenta impedàncies superiors al megaohm mentre que, a partir d’un determinat llindar, aquesta cau a valors de l’ordre de les desenes d’ohm Muntant-ne dos en parallel, amb les polaritats invertides, hom aconsegueix que actuïn com a dispositiu limitador de tensió

Sia en fotometria visual homocroma comparació visual de superfícies del mateix color, sia en fotometria visual heterocroma comparació de superfícies de diferent color, el contrast pot ésser mesurat en disposar les superfícies en forma de platges lluminoses contigües, de manera que si L i L ' són les respectives luminàncies, el contrast és donat per C = L — L '/ L El llindar de contrast o contrast liminar és la mínima diferència de luminàncies que és perceptible

La necessitat de realitzar enllaços obliga a un cert ordenament i imposa unes certes limitacions al voltant dels àtoms veïns més pròxims Aquesta ordenació a curta distància és la responsable de les propietats observades en aquests materials, com són la seva conductivitat elèctrica o el seu llindar d’absorció òptica El semiconductor amorf que presenta un interès més gran és el silici amorf que té aplicació en les cèllules solars de baix cost, utilitzades en aplicacions terrestres i en l’obtenció de pantalles planes per a comunicacions audiovisuals

Un cas típic de sobrecàrrega és l’excés d’usuaris o tasques dins del sistema En aquest cas, i per tal que tothom tingui accés al processador, el planificador contínuament està intercanviant l’ús del processador entre les diferents tasques Això fa que el distribuïdor constantment realitzi canvis de context La sobrecàrrega succeeix quan el sistema empra gairebé tot el temps intercanviant els contexts, i ben poc temps en l’execució de les tasques d’usuari Pel que fa a aquest, la sobrecàrrega es manifesta en un temps de resposta del sistema excessivament elevat, sovint fins i tot amb la sensació…

L’estructura proposada per William HDoherty el 1934 per a l’empresa Bell Laboratories consisteix en una primera etapa, o etapa principal, formada per un amplificador de classe B Parallelament hi ha una segona etapa, o etapa auxiliar, formada per un amplificador de classe C Si el nivell del senyal d’entrada a l’amplificador és petit, l’amplificador de classe B en l’etapa principal és l’encarregat de l’amplificació, mentre que l’amplificador de classe C auxiliar queda inactiu i no consumeix potència Si el nivell del senyal d’entrada augmenta per sobre d’un determinat llindar, l’…

És produït per la ionització de les capes d’aire immediates als conductors, motivada per la tensió voltatge que hi ha entre els conductors És, doncs, una perforació dielèctrica de l’aire al voltant del conductor, deguda al camp elèctric Això representa una certa pèrdua d’energia de la línia treball d’ionització La lluminositat és deguda a la recombinació d’ions positius i negatius, que retornen l’energia d’ionització, en forma de llum Aquest fenomen s’origina a partir d’un cert valor de tensió, en dos llindars En un primer nivell de tensió, anomenat tensió crítica disruptiva , es produeix…

En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…

Els relés poden ésser electromagnètics, tèrmics, electrònics, etc Els relés electromagnètics , els més corrents, consten d’un electroimant que en ésser accionat atreu una armadura mòbil, la qual amb el seu moviment provoca el tancament o l’obertura d’un o més circuits principals i auxiliars, mitjançant una sèrie de contactes Hi ha relés per a corrent continu i per a corrent altern Poden ésser constructivament de diversos tipus d’armadura articulada, de nucli desplaçable, de balancí, de disc d’inducció, de cilindre d’inducció , etc Segons llurs finalitats, poden ésser de màxima, de mínima,…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…