Resultats de la cerca
Es mostren 13 resultats
junció
Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és…
majoritari | majoritària
Electrònica i informàtica
En un semiconductor, dit dels portadors (electrons o forats) que hi ha en nombre superior a la meitat del total de portadors.
minoritari | minoritària
Electrònica i informàtica
En un semiconductor, dit dels portadors (electrons o forats) que hi ha en nombre inferior a la meitat del total de portadors.
fotodetector
Electrònica i informàtica
Dispositiu semiconductor utilitzat per a convertir energia lluminosa en energia elèctrica.
Els fotodetectors són molt importants en sistemes de comunicació per fibra òptica, on operen en la regió de l’infraroig proper 0,8 a 1,6 μm de longitud d’ona En aquests sistemes, llur missió és la desmodulació de senyals òptics, és a dir, la conversió en senyals elèctrics, que més tard són amplificats i finalment processats Per aquestes aplicacions els fotodetectors han de tenir característiques molt rigoroses, com ara alta sensibilitat en les longituds d’ona en què treballa el sistema, gran velocitat de resposta i mínim soroll, i han de poder funcionar amb petites intensitats de corrent i…
transistor d’efecte de camp metall-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat
corrent de foscor
Electrònica i informàtica
Corrent generat a la sortida d’un sensor electrònic d’imatge quan la intensitat de la llum incident és nul·la.
En els sensors de semiconductors, el corrent és causat per la generació tèrmica dels portadors o per defectes de l’estructura cristallina que fan que la taxa de generació no sigui uniforme En el primer cas, el corrent presenta una estadística de soroll blanc, mentre que en el segon es produeixen pics espuris de senyal
guia d’ones
Electrònica i informàtica
Sistema emprat per a guiar ones electromagnètiques, especialment microones.
Generalment és una línia de transmissió consistent en un tub de secció rectangular o circular a través del qual es propaguen les ones que són reflectides a les parets interiors En el camp de l’optoelectrònica hom també experimenta amb circuits integrats per a guiar ones electromagnètiques en el rang de l’infraroig fins a les microones La realització d’una guia d’ones sobre un cert material que serveix de substrat consisteix a obtenir una regió d’índex de refracció diferent més alt que el material que l’envolta En materials amorfs hom ho aconsegueix mitjançant la deposició de capes primes de…
díode
Díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…
semiconductor
Model de bandes d’energia dels semiconductors
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Física
Química
Substància intermediària entre els bons conductors i els aïllants.
L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…
zona d’inversió
Electrònica i informàtica
En un dispositiu metall-aïllant-semiconductor, zona del semiconductor propera a l’aïllant on es produeix una acumulació de portadors minoritaris que inverteixen el caràcter elèctric del semiconductor.
Aquesta inversió es produeix en aplicar al metall un potencial suficient, de signe positiu si es tracta d’un semiconductor de tipus p o negatiu si es tracta d’un semiconductor de tipus n