Resultats de la cerca

L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…

Quan ambdós semiconductors tenen el mateix tipus de conductivitat, p o n , hom l’anomena heterojunció isotipus quan la conductivitat és diferent, és una heterojunció anisotipus D’ençà del 1951, en què W Schockley proposà l’ús de l’heterojunció abrupta en un transistor bipolar, les heterojuncions han estat estudiades extensivament i hom les ha utilitzades en importants aplicacions com és ara el díode làser d’injecció, el díode emissor de llum LED, fotodetectors, cèllules solars, etc També, hom pot formar capes alternades d’heterojuncions, amb gruixos de capa de l’ordre de 10 - 6…

En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…

Els principis fonamentals d’electrònica són l’emissió termoiònica, l’efecte fotoelèctric i les propietats dels semiconductors i dels cristalls El desenvolupament de l’electrònica com a ciència és recent, i gràcies a les seves aplicacions tècniques ha impellit considerablement el de la indústria Crookes obtingué els primers electrons lliures amb el seu tub, i l’any 1886, Hertz, aplicant la teoria de Maxwell, descobrí la manera de produir ones electromagnètiques, bé que fins a la fi del s XIX no tingueren aplicació pràctica El primer a descobrir i a aconseguir la transmissió d’ones a gran…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…

Consta d’un càtode termoelectrònic i de deu grups d’ànodes i reixes el feix electrònic és dirigit magnèticament Ha estat superat per altres dispositius amb semiconductors

La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses acceptadores, és a…

Hom parla de semiconductors de gap directe quan els esmentats mínim i màxim corresponen al mateix valor de vector d'ona 1 quan aquest és diferent, el semiconductor és de gap indirecte

El seu valor és donat per la fórmula a essent el gruix de la placa o cinta i K una constant, negligible en els materials bons conductors, però apreciable en els semiconductors