Resultats de la cerca
Es mostren 139 resultats
transistor d’efecte de camp
Electrònica i informàtica
Transistor que és controlat per l’efecte d’un camp elèctric transversal.
Existeixen diversos tipus de FET segons sigui l’estructura que controla aquest camp elèctric JFET, MOSFET, MESFET, etc
favar
Indret plantat de faves.
comunicació de camp proper
Telecomunicacions
Tecnologia de transmissió sense fils de curt abast que permet la comunicació bidireccional entre dispositius a distàncies inferiors a 20 cm.
És d’ús molt senzill, només cal apropar els dispositius perquè es produeixi la connexió i la transmissió de dades Aquesta tecnologia pot aplicar-se a l’intercanvi de dades entre dispositius portables, com ara telèfons mòbils, càmeres de fotografia digitals o rellotges També es pot utilitzar en sistemes de pagament sense contacte, per mitjà del telèfon mòbil Es tracta d’una evolució dels sistemes d’identificació per radiofreqüència RFID i està descrita per la norma ISO/IEC 18092 Fa ús de la banda de 13,56 MHz i permet una velocitat de transferència de fins a 424 kbits per segon Permet dos…
transistor d’efecte de camp metall-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat
transistor d’efecte de camp de porta aïllada
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte de camp on la porta resta aïllada del canal per un dielèctric.
El cas més corrent de transistor IGFET és el MOSFET
conjunt de ports programables
Electrònica i informàtica
Circuits integrats digitals que poden ésser programats diverses vegades per l’usuari per a realitzar funcions lògiques.
Com a xip estan disponibles comercialment i es troben en grans sèries La seva arquitectura és la d’una matriu de funcions electròniques, més o menys complicades, que poden executar qualsevol lògica, amb la condició que hom les connecti adequadament per mitjà de la seva programació Segons la seva tecnologia de fabricació, hom pot tornar a utilitzar el xip per a una altra aplicació, esborrant la informació que pugui tenir amb raigs ultraviolats o tornant a escriure-hi a sobre
SeaWIFS
Electrònica i informàtica
Espectroradiòmetre del satèl·lit SeaStar, instal·lat el 1994.
El sensor obté dades del color dels oceans, que permeten analitzar i quantificar la producció primària de l’oceà i veure com afecta la bioquímica global Les dades s’utilitzen per a fer un seguiment del paper dels oceans en el cicle de carboni, com també l’intercanvi d’altres elements i gasos crítics entre l’atmosfera i l’oceà Consta de vuit bandes espectrals de mesura que van des de l’espectre visible fins a l’infraroig Les dades de SeaWIFS són rebudes diàriament
transistor d’efecte de camp de metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor on l’efecte de camp s’aplica a través d’una estructura metall-òxid-semiconductor.
També rep el nom d’IGFET Isolated Gate FET transistor
GOCE
Missió espacial de l’Agència Espacial Europea per a mesurar amb precisió el camp gravitatori terrestre.
El llançament del satèllit es dugué a terme amb èxit el 17 de març de 2009 S'espera que les observacions que realitzarà del camp gravitatori permetin reconstruir el geoide amb prou precisió per a poder obtenir corrents marins permanents i de variabilitat lenta, fent servir tècniques altimètriques El 31 de març de 2011 es féu pública la primera versió del geoide terrestre obtinguda a partir de dos anys de mesures de la missió GOCE