Resultats de la cerca
Es mostren 7 resultats
carbur de silici
Química
Cristalls negres de gran duresa (9 en l’escala de Mohs), molt inerts, que se sublimen amb descomposició a 2 200°C.
Hom l’obté per combinació directa dels seus elements o per reducció de la sílice amb carboni És un dels materials més durs conegut i troba aplicació com a refractari, abrasiu i, en forma de monocristalls, com a semiconductor
creixement d’un cristall
Mineralogia i petrografia
Increment de les dimensions d’un cristall.
El creixement d’un cristall consisteix, bàsicament, en l’adjunció dels constituents elementals àtom, ions, molècules del medi mare en què és submergit el cristall, a les cares ja existents del cristall Aquest mecanisme depèn del transport de matèria i calor experimentat en les interfícies cristall/medi mare, i de la cinètica de les interfícies En termes molt simplificats, els constituents elementals del medi mare una solució, un vapor, una solució sòlida, etc incideixen sobre la superfície del cristall, “rellisquen” sobre les cares ja existents i són fixats en els punts en què experimenten…
difracció de raigs X
Química
Fenomen de dispersió dels raigs X per la matèria que és acompanyat de variació en la seva intensitat, segons la direcció, a causa dels efectes d’interferència.
La difracció dels raigs X constitueix una eina de treball molt important en la física de l’estat sòlid, puix que és un mètode ràpid en la determinació de l’estructura atòmica de la matèria Els mètodes de difracció de raigs X són basats en el fet que les seves longituds d’ona són de l’ordre d’1 Å, i aquest és l’ordre de les dimensions atòmiques Quan el feix de raigs X incideix sobre la mostra es produeix una dispersió d’aquesta radiació per tots els àtoms Les ones dispersades es propaguen esfèricament a partir dels àtoms de la substància, i els efectes d’interferència entre les distintes…
domini ferromagnètic
Física
Cadascuna de les regions d’un sòlid ferromagnètic caracteritzades per una mateixa orientació de tots els dipols atòmics que contenen.
Aquesta orientació és deguda a dues tendències antagòniques d’una banda hi ha la tendència a l’ordenació antiparallela dels dipols veïns, és a dir, el pol nord de l’un orientat al costat del pol sud de l’altre, com a conseqüència de les lleis generals de l’electromagnetisme clàssic, i hom l’observa clarament dins qualsevol conjunt d’imants macroscòpics de l’altra, hi ha la tendència, oposada, a ordenar-se els dipols veïns segons una orientació parallela, és a dir, els pols nord dels imants continguts es reuneixen reforçant llur acció Aquesta propensió és deguda a interaccions d’origen quàntic…
silici monocristal·lí
Química
Silici pur en forma de monocristalls, obtingut mitjançant el creixement controlat d’un sol cristall de silici a partir de silici fos.
metal·lúrgia
Metal·lúrgia. Forn elèctric en una foneria de Barcelona
© Fototeca.cat
Tecnologia
Branca de la ciència i de la tècnica que estudia els procediments per a l’obtenció dels metalls i llur transformació i elaboració per a una utilització racional.
Els primers metalls utilitzats per l’home foren els metalls natius, principalment el coure, l’or, l’argent i, molt rarament, el ferro d’origen meteorític La reducció de minerals de coure i, posteriorment, de minerals de coure i estany, per tal d’obtenir el bronze, fou iniciada entre els anys 4000 i 3000 aC Gairebé alhora es desenvolupà la metallúrgia del plom i dels aliatges d’or i argent Cap a l’any 2000 aC hom coneixia ja els procediments de fosa, amb el sistema dit de la cera perduda , per a la fabricació d’estàtues de bronze, com també les operacions d’embotir i d’encunyar L’edat del…
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…