Resultats de la cerca
Es mostren 82 resultats
analitzador de transistors
Física
Aparell de mesura electrònic que té per finalitat efectuar en un transistor les mesures que en permeten obtenir els paràmetres, les característiques i el comportament a unes condicions donades.
nitrur de gal·li
Química
Semiconductor emprat en transistors de microones.
Si bé també es basa en el galli, com els transistors d’arsenur de galli GaAs, els de GaN poden operar a potències i temperatures més altes, motiu pel qual proporcionen més linealitat i eficiència en amplificadors de potència de desenes a centenars de watts, amb densitats de potència a la ratlla de 0,5 W/mm a 5 W/mm sobre amples de banda elevats
transistor bipolar d’heterounió
Tecnologia per a la fabricació de transistors de potència per a operar a altes freqüències.
La diferència tecnològica amb els transistors bipolars és el material emprat per a fer les regions de base i d’emissor Un cas particular són els transistors HEMT High Electron Mobility Transistor , utilitzats en aplicacions de potència o de baix soroll en bandes freqüencials de diversos GHz
voltímetre electrònic
Electrònica i informàtica
Física
Voltímetre proveït d’un amplificador amb tubs o transistors.
La tensió a mesurar és amplificada prèviament i després és mesurada amb un galvanòmetre del tipus de bobina mòbil La característica principal d’aquest aparell és la impedància d’entrada, que és molt elevada Un tipus molt corrent és l’anomenat voltímetre de vàlvula , amb tubs, bé que actualment n'hi ha amb transistors Cal esmentar també els voltímetres digitals , com més va més emprats
metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Qualsevol dels dispositius d’estat sòlid constituïts per transistors d’efecte de camp.
La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són…
en contrafase
Electrònica i informàtica
Dit del muntatge de dos tubs o dos transistors emprat correntment com a amplificador de potència.
És un muntatge simètric, de manera que els senyals aplicats als tubs o als transistors són en oposició de fase aquests solen funcionar en classe B o AB amplificació a fi d’augmentar el rendiment i disminuir la distorsió Aquest muntatge és conegut també amb el nom de push-pull
amplificador commutat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic amplificador que, a diferència dels amplificadors de potència de classe A, B o AB, no utilitza una resistència activa per a transmetre potència, sinó que s’aprofita del mode de commutació dels transistors per tal de regular la transmissió eficient de potència.
Gràcies a aquest mode de funcionament basat en la commutació entre dos estats, l’amplificador presenta una alta eficiència energètica, teòricament al voltant del 100% Els dos transistors que componen l’amplificador sempre estan en zona de tall o saturació, i en aquests casos la potència dissipada en els transistors és pràcticament nulla Només hi ha pèrdues en els estats de transició, per la qual cosa cal minimitzar-ne la durada i d’aquesta manera maximitzar l’eficiència de l’amplificador Un dels principals inconvenients dels amplificadors commutats és que, a causa de…
lògica d’emissor acoblat
Electrònica i informàtica
Família de circuits integrats que s’han convertit en els més ràpids dels constituïts per transistors bipolars, en competència amb les sèries ràpides de la família de circuits TTL.
Des de la seva introducció hom hi ha anat fent millores i variacions, que han donat lloc a les famílies ECL I, ECL II, ECL III i les sèries 10 K i 100 K Llur funcionament es basa en un amplificador diferencial amb un parell de transistors acoblats per l’emissor quan la tensió en una entrada és superior o inferior a una determinada tensió de referència, el corrent és commutat d’un transistor a l’altre, la qual cosa dóna lloc a un estat alt 1 o baix 0, respectivament Presenten temps de propagació més petits que 1 ns i la freqüència de rellotge sol ésser de 50 MHz fins al GHz Són…
microelectrònica
Electrònica i informàtica
Branca de l’electrònica que tracta del disseny, de la producció i de l’aplicació dels dispositius electrònics de petites dimensions, en els quals els diversos components són disposats en gran densitat sobre una plaqueta o substrat gràcies als principis de la integració
.
La microelectrònica permet de construir aparells de volum i pes reduïts i alhora d’una gran fiabilitat i economia Té aplicacions especialment en telecomunicacions, control i regulació industrials, ginys espacials, ordinadors, etc, i, en general, en tècniques digitals En aquests darrers anys, l’evolució de la microelectrònica ha estat notable pel que fa a l’aparició de nous components i dispositius electrònics díodes, transistors, fotoacobladors, memòries i sobretot el microprocessador i a les noves tecnologies de fabricació de circuits integrats circuit integrat, on com més va…
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…