Resultats de la cerca
Es mostren 1 resultats
efecte Gunn
Electrònica i informàtica
Efecte descobert el 1963 pel físic J.B. Gunn, en els semiconductors del grup III-V com l’arsenur de gal·li i el fosfur de gal·li de tipus n.
En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…