Resultats de la cerca

Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall

Cada cèllula té una regió n + que constitueix la font, i una porta hexagonal de silici policristallí El corrent flueix des de la font, a través d’un estret canal invertit, cap a la perifèria de cada cèllula i després verticalment cap al drenador situat al fons del substrat Ofereix una alta densitat d’integració i és utilitzat especialment en electrònica de potència pel fet que pot suportar corrents de prop de 100 A, amb tensions de saturació comparables a les dels transistors bipolars de grandària similar

És basada en la tecnologia FAMOS, és a dir MOS de porta flotant El dispositiu presenta dues portes superposades de metall o silici policristallí, una en contacte amb l’exterior i l’altra flotant dins de l’òxid Quan hom connecta una tensió elevada a la porta exterior i al drenador, s’injecta càrrega a través de l’òxid emmagatzemat a la porta flotant Aquesta càrrega impedeix que es formi el canal quan s’aplica una tensió usual a la porta, i fa que el MOSFET no sigui conductor, cosa que equival a dir que hi ha un “1” enregistrat en una cèllula determinada Si hom vol esborrar la informació…

La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…

L’element natural, de massa atòmica 140,12, és una barreja de quatre núclids 140 88,48%, 142 11,1%, 138 0,25% i 136 0,1% hom li coneix deu isòtops artificials 133, 134, 135, 137, 139, 141, 143, 144, 145 i 146 Els minerals més importants que contenen ceri són la cerita, l’ ortita o allanita i la monazita L’extracció del ceri i la seva separació dels altres lantànids, operació d’una gran complexitat, és feta actualment emprant resines bescanviadores d’ions o per extracció de les solucions dels nitrats en fase líquida Pot ésser obtingut amb un grau de puresa molt elevat per reducció del clorur…

El creixement d’un cristall consisteix, bàsicament, en l’adjunció dels constituents elementals àtom, ions, molècules del medi mare en què és submergit el cristall, a les cares ja existents del cristall Aquest mecanisme depèn del transport de matèria i calor experimentat en les interfícies cristall/medi mare, i de la cinètica de les interfícies En termes molt simplificats, els constituents elementals del medi mare una solució, un vapor, una solució sòlida, etc incideixen sobre la superfície del cristall, “rellisquen” sobre les cares ja existents i són fixats en els punts en què experimenten…

És conegut per l’home des de l’antiguitat, atesa la seva ocurrència en forma nativa El sofre natural és constituït per una mescla de quatre isòtops naturals, estables, amb masses 32 95,0%, 33 0,76%, 34 4,22% i 36 0,14%, que determinen un pes atòmic de 32,06 Són coneguts, a més, sis radioisòtops artificials de l’element, un dels quals, 35 S, amb una vida mitjana de 87 dies, és emprat com a traçador El sofre és el setzè element més abundant de l’escorça terrestre, de la qual constitueix un 6 × 10 -2 per cent en pes La seva presència ha estat detectada al Sol i als estels novae , a la Lluna i…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…