Resultats de la cerca

En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…

Per l’ànode entra el corrent al dispositiu i, per tant, en surten els electrons cap al circuit exterior L’ànode és, doncs, l’elèctrode positiu en els dispositius alimentats per una font exterior de tensió i l’elèctrode negatiu en els dispositius generadors, piles o acumuladors En els tubs electrònics l’ànode, dit també placa , rep els electrons procedents del càtode gràcies a la tensió existent entre ambdós elèctrodes En un electròlit, l’ànode rep els anions de la solució, els quals són neutralitzats elèctricament, de forma que els electrons alliberats surten cap al circuit exterior En una…

Aquesta inversió es produeix en aplicar al metall un potencial suficient, de signe positiu si es tracta d’un semiconductor de tipus p o negatiu si es tracta d’un semiconductor de tipus n

En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…

Igual que les ones electromagnètiques de més baixa freqüència, les microones poden ésser generades mitjançant tubs de vuit o dispositius semiconductors les dificultats, però, que presenten quan hom vol assolir certs nivells de potència han donat lloc a la concepció de tubs especials com són els clistrons, els magnetrons, els oscilladors d’ona progressiva, etc Això no obstant, l’evolució constant dels dispositius actius d’estat sòlid i la introducció de nous semiconductors com l’arsenur de galli GaAs i el fosfur d’indi InP han fet progressar la tècnica i l’aplicació de les microones Així, a la…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans JBarden i WBrattain, que juntament amb WSchockley treballaven als laboratoris de la Bell…