Resultats de la cerca

Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt imprecisa ja que…

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…

Aquest valor és característic del disseny, la geometria i els nivells de dopatge del díode, i es manté pràcticament constant independentment del corrent Té aplicació en el díode Zener

En tecnologia de semiconductors, el dopatge d’un material compost, amb una impuresa que és isoelectrònica respecte a un dels elements constituents, permet de produir centres de recombinació anomenats centres isoelectrònics que són els responsables de les transicions radioactives predominants en materials de banda prohibida indirecta

A causa del poc dopatge de la zona i , la majoria del potencial aplicat al díode recau en aquesta regió, la qual dóna lloc a una característica intensitat-voltatge molt interessant, tant en el cas de polarització directa com en el cas de polarització inversa a baixes freqüències es comporta de forma similar a una junció p-n, però a altes freqüències es comporta com una resistència variable Per raó d’aquestes especials característiques, el díode pin té un gran nombre d’aplicacions, sobretot en circuits de microones

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…

En un circuit integrat, els components actius transistors, etc i els passius resistències, condensadors, etc són integrats dins un mateix element o suport, anomenat substrat L’element més comunament utilitzat com a substrat és el silici, encara que els composts dels grups III-V com l’arsenur de galli, el fosfur de galli, etc, gràcies a les seves propietats físiques, són més adients per a circuits d’alta velocitat GHz i optoelectrònica En alguns casos s’utilitza també substrats aïllants com el safir SOS Segons el procés de fabricació, hom distingeix diferents tipus de circuits integrats Els…

L’estudi teòric i les aplicacions dels semiconductors que han estat duts a terme en aquests darrers decennis han donat lloc a una nova branca de l’electrònica, anomenada de l' estat sòlid en contraposició a la del buit i la dels gasos o vapors Les propietats elèctriques dels semiconductors són completament diferents de les dels altres cossos Aquestes propietats són degudes bàsicament al fet que els semiconductors tenen una banda de conducció separada de la banda plena per una banda prohibida molt estreta, de l’ordre d’1 eV Entre els models que han estat proposats per a donar compte de totes…