Resultats de la cerca

La tècnica consisteix a modular la tensió de drenador que és la que proporciona l’alimentació a l’amplificador mitjançant l’envoltant del senyal a amplificar, la qual cosa fa augmentar l’eficiència de l’amplificador en comparació a una solució clàssica consistent a fixar una tensió d’alimentació constant en el drenador

Cada cèllula té una regió n + que constitueix la font, i una porta hexagonal de silici policristallí El corrent flueix des de la font, a través d’un estret canal invertit, cap a la perifèria de cada cèllula i després verticalment cap al drenador situat al fons del substrat Ofereix una alta densitat d’integració i és utilitzat especialment en electrònica de potència pel fet que pot suportar corrents de prop de 100 A, amb tensions de saturació comparables a les dels transistors bipolars de grandària similar

És basada en la tecnologia FAMOS, és a dir MOS de porta flotant El dispositiu presenta dues portes superposades de metall o silici policristallí, una en contacte amb l’exterior i l’altra flotant dins de l’òxid Quan hom connecta una tensió elevada a la porta exterior i al drenador, s’injecta càrrega a través de l’òxid emmagatzemat a la porta flotant Aquesta càrrega impedeix que es formi el canal quan s’aplica una tensió usual a la porta, i fa que el MOSFET no sigui conductor, cosa que equival a dir que hi ha un “1” enregistrat en una cèllula determinada Si hom vol esborrar la informació…

La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…

Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans JBarden i WBrattain, que juntament amb WSchockley treballaven als laboratoris de la Bell…