Resultats de la cerca

També poden acostar o separar conductors miniatura, cosa que s’utilitza per a fer capacitats variables o micromotors lineals

Si ocupa un estat de la banda de conducció, hom parla d' electró de conducció , mentre que si l’ocupa a la banda de valència, hom parla de forat En casos en què hi ha una banda d’impureses, l’electró pot saltar d’un estat a un altre d’aquesta banda i comportar-se com un portador de la banda d’impureses efecte hopping

La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants La seva creació, és a dir, la creació d’estats…

Hom pot distingir l’efecte anomenat integral i l’anomenat fraccionari, els quals fan referència a la forma d’expressar la resistència de Hall respecte del quocient h/e 2 , on h és la constant de Planck i e la càrrega de l’electró

És basada en la tecnologia FAMOS, és a dir MOS de porta flotant El dispositiu presenta dues portes superposades de metall o silici policristallí, una en contacte amb l’exterior i l’altra flotant dins de l’òxid Quan hom connecta una tensió elevada a la porta exterior i al drenador, s’injecta càrrega a través de l’òxid emmagatzemat a la porta flotant Aquesta càrrega impedeix que es formi el canal quan s’aplica una tensió usual a la porta, i fa que el MOSFET no sigui conductor, cosa que equival a dir que hi ha un “1” enregistrat en una cèllula determinada Si hom vol esborrar la informació…

En un semiconductor de silici, generalment són emprats l’antimoni, el fòsfor i l’arsènic El semiconductor amb àtoms donadors presenta una conductivitat elevada deguda als electrons lliures un semiconductor en aquestes condicions és anomenat de tipus n

L’experiment consisteix essencialment a fer caure gotetes d’oli, mitjançant un polvoritzador, en el si d’un camp elèctric Algunes de les gotetes són carregades elèctricament i, si hom dóna al camp elèctric un valor apropiat, és possible d’equilibrar-ne la caiguda Mesurant la intensitat del camp elèctric necessari per a contrarestar la força de la gravetat i coneixent la massa de les gotetes que hom obté mesurant llurs velocitats de caiguda lliure en l’aire, Millikan observà que els valors de les càrregues elèctriques de les gotetes eren sempre múltiples enters d’una quantitat fixa, que és la…