Resultats de la cerca
Es mostren 5 resultats
oblia
Electrònica i informàtica
Disc, molt prim, tallat d’una barra cilíndrica monocristal·lina de silici o granat, utilitzat com a substrat per a la fabricació de circuits integrats.
Un cop construïts, hom talla el disc en un cert nombre de daus quadrats xips , cadascun dels quals conté un circuit integrat individual Aquests discos també poden servir per a la fabricació de cèllules fotovoltaiques En aquest cas, s’hi fan uns tractaments amb dopants i s’hi insereixen elements conductors elèctrics per ambdues cares, a més d’altres manipulacions, per aconseguir que s’hi generi un potencial elèctric quan hi incideix la llum
planar
Electrònica i informàtica
Dit de la tècnica utilitzada en la fabricació de dispositius semiconductors i circuits integrats, consistent a fer créixer una capa de diòxid de silici damunt la superfície d’un substrat de silici del tipus de conductivitat desitjat.
A les zones on hi ha d’haver difusió d’alguna substància dopadora, la capa de sílice ha d’ésser sotmesa a un procés semblant al del fotogravat, per tal de formar-hi les obertures per on es difondran les impureses Aquest procés consisteix a recobrir l’oblia amb una pellícula uniforme d’emulsió fotosensible Després hom dibuixa generalment amb l’ajut d’un ordinador una representació ampliada en què figura la localització de les obertures per on cal eliminar la sílice Aleshores hom fotografia aquest dibuix repetidament fins a reduir-lo a la mida natural Aquest negatiu és collocat com…
dopatge
Electrònica i informàtica
Addició de petites quantitats d’impureses mitjançant diversos procediments a un semiconductor intrínsec a fi de modificar-ne les propietats, convertint-lo, així, en extrínsec.
Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt…
difusió d’impureses
Electrònica i informàtica
En la fabricació de dispositius electrònics, procés consistent en la deposició d’un determinat nombre d’àtoms d’impureses en la superfície de l’oblia, seguida d’un escalfament del material a fi que els àtoms es difonguin en el substrat semiconductor.
Els paràmetres que controlen el procés són el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides
mesa
Electrònica i informàtica
Tipus de transistor bipolar en què la base, realitzada per difusió no selectiva sobre un substrat adequat (oblia), és posteriorment sotmesa a un atac químic que en deixa només les superfícies prèviament recobertes amb una resina protectora, la forma de les quals recorda les de l’homònim relleu geomorfològic.