Resultats de la cerca
Es mostren 8 resultats
gastroparèsia
Medicina
Parèsia que afecta la musculatura llisa de l’estómac.
Comporta una dificultat o un retardament en el buidament gàstric L’etiologia més freqüent és la neuropatia diabètica altres causes poden ésser la secció quirúrgica del nervi vague per anullar la secreció d’àcid i afavorir la curació de la malaltia ulcerosa aquesta cirurgia està pràcticament obsoleta arran de l’adveniment de medecines antisecretores antihistamínics H2 i inhibidors de la bomba de protons
maniobra de Sanmartino
Mètode d’exploració per a la diagnosi dels processos abdominals aguts.
Amb una mà hom palpa la paret abdominal, mentre que amb l’altra efectua la dilatació forçada de l’anus, previ buidament de la bufeta, amb dos dits introduïts a través d’aquest El dolor que provoca la dilatació forçada fa desaparèixer el dolor i la contractura abdominal en els casos d’abdomen agut d’origen extraabdominal i en els abdominals de causa no inflamatòria com ara còlics nefrítics En els casos de peritonitis, el dolor i la contractura abdominal no es modifiquen
efecte Gunn
Electrònica i informàtica
Efecte descobert el 1963 pel físic J.B. Gunn, en els semiconductors del grup III-V com l’arsenur de gal·li i el fosfur de gal·li de tipus n.
En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…
deficiència
Agronomia
Manca, en els vegetals, de certs elements minerals que necessiten per a llur correcte desenvolupament.
Hom pot fer tres grups amb aquests elements el primer, format pels macroelements , com ara el nitrogen, el potassi i el fòsfor el segon, format pels elements intermedis , inclou el calci, el magnesi i el sofre i el tercer, el grup dels oligoelements , al qual pertanyen el ferro, el bor, el zinc, els manganès, el coure, etc L’aportació dels elements pertanyents al primer grup als conreus és feta de manera sistemàtica, puix que hom sap que els vegetals els necessiten en quantitats grosses En les condicions normals de conreu, les deficiències d’elements que s’esdevenen més sovint són les de…
junció
Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…
megaesòfag
Patologia humana
Dilatació difusa de l’esòfag, que pot ésser simptomàtica (d’un càncer de càrdies, per exemple) o bé funcional, a causa d’una disfunció de les cèl·lules ganglionars dels plexes mientèric i submucós i aleshores l’esfínter esofàgic inferior es dilata malament i dificulta el buidament de l’esòfag cap a l’estómac (acalàsia).
Clínicament, els malalts manifesten una disfàgia d’instauració lenta, odinofàgia, regurgitació del contingut esofàgic hores després de la ingesta, etc
díode
Díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans J Barden i W Brattain, que juntament amb W Schockley treballaven als laboratoris de la Bell…