Resultats de la cerca

Fou un dels contribuïdors més decisius en l’estudi dels semiconductors i llurs aplicacions perfeccionà el primitiu transistor i elaborà el de junció Publicà Electrons and Holes in Semiconductors 1950, obra bàsica en aquest camp El 1956 rebé, juntament amb Bardeen i Brattain, el premi Nobel de física

Fou professor d’investigació al CSIC, a la Universitat d’Illinois i a la Universidad Complutense de Madrid Ha treballat diferents camps de la física de l’estat sòlid teoria de transport en metalls i en semiconductors fricció interna, metalls i semiconductors estadística de quimioadsorció teoria de pseudopotencials, etc Actualment la seva investigació gira entorn de les estructures semiconductores quàntiques estructura electrònica, modes vibracionals i resposta dielèctrica Els resultats del seu treball l’han fet mereixedor de nombrosos premis i reconeixements, entre…

Llicenciat en Ciències Físiques per la Universitat de Barcelona 1972, doctor en Ciències Físiques per la Universitat Autònoma de Barcelona 1978 i Docteur d’État per la Universitat de Montpeller 1979 Catedràtic de Física Aplicada de la Universitat Autònoma de Barcelona des del 1993 i director de l’Institut Català de Nanotecnologia des del 2005 El 1997 rebé la Medalla Narcís Monturiol al mèrit científic i tecnològic de la Generalitat de Catalunya per l’estudi espectroscòpic dels estats electrònics i de vibracions dels semiconductors, i per l’activitat formativa i organitzativa…

Fou director de l’institut fisicoagronòmic de Leningrad i membre directiu de l’Acadèmia de Ciències de l’URSS Estudià les propietats físiques i elèctriques dels cristalls i dels semiconductors

Graduat 1967 i doctorat 1971 en física de semiconductors per la Universitat Tecnològica de Hèlsinki, els anys 1968-73 treballà al centre estatal de recerca tècnica VTT, on desenvolupà un sensor d’humitat per a la companyia Vaisala Oyj 1973 El 1974 s’incorporà a aquesta companyia, on dissenyà la tecnologia de la deposició de capes primes, o deposició de capes atòmiques en anglès, atomic layer deposition , ALD, que ha tingut una gran importància en el desenvolupament de pantalles planes electroluminescents Del 1987 al 1997 treballà a Microkemia, filial de Neste/Fortum Corporation, on fou…

Fou professor a Rostock 1923-26 i contribuí decisivament al desenvolupament de l’electrònica, de la teoria electrònica dels metalls i semiconductors i de l’emissió termoelectrònica, on descobrí l’efecte que duu el seu nom

Fou professor de diverses universitats als EUA i des del 1951 dirigí els laboratoris de recerca de la Westinghouse Els seus treballs sobre les propietats dels semiconductors el conduïren al descobriment de l’efecte que duu el seu nom 1940 i que constitueix el principi dels anomenats díodes Zener , comercialitzats cap al 1952

Estudià a Cambridge, on es doctorà el 1948 Treballà en el camp dels semiconductors a Anglaterra, als EUA i al Canadà en diferents empreses i fou professor de diverses universitats angleses i americanes Les seves recerques el conduïren al descobriment de l’efecte que duu el seu nom i que donà a conèixer el 1963 efecte Gunn

Estudià a la Universitat de Heildeberg i a la Universitat Tècnica de Munic Especialitzat en física teòrica, les seves primeres recerques es relacionaren amb l’estudi de traces en semiconductors Es traslladà al Massachusetts Tecnological Institute MIT, on començà l’estudi de la condensació de Bose-Einstein Finalment obtingué un condensat d’àtoms de sodi a temperatures molt properes a 0 K Per aquest descobriment rebé el premi Nobel de física el 2001, juntament amb EACornell i CEWieman

El 1955 es graduà a la Universitat de Pennsilvània i el 1959 es doctorà a la Universitat de Chicago Des d’aquest any fins a la jubilació 1986 treballà als Bell Laboratories on, amb Willard Sterling Boyle Boyle, feu aportacions fonamentals en semiconductors , entre les quals sobresurt el detector CCD o detector de dispositiu d’acoblament de càrrega, de gran importància en el desenvolupament de la tecnologia digital en aparells òptics Ha compartit amb Boyle diversos premis, entre els quals el Liebmann 1973, el Draper d’enginyeria 2006, i el Nobel de física 2009, la meitat del qual correspongué…