Resultats de la cerca
Es mostren 9 resultats
efecte Schottky
Electrònica i informàtica
En un tub termoelectrònic, augment del corrent de saturació per efecte dels camps elèctrics pròxims al càtode.
Walter Schottky
Física
Físic suís.
Fou professor a Rostock 1923-26 i contribuí decisivament al desenvolupament de l’electrònica, de la teoria electrònica dels metalls i semiconductors i de l’emissió termoelectrònica, on descobrí l’efecte que duu el seu nom
defecte
Principals defectes puntuals d’un cristall: a, vacant; b, defecte intersticial; c, impuresa intersticial; d, impuresa substitucional; e, defecte de Frenkel; f, defecte de Schottky
© Fototeca.cat
Mineralogia i petrografia
Interrupció de la regularitat de la xarxa cristal·lina d’un sòlid.
Dins tots els sòlids hi ha defectes, ja siguin causats en el moment de llur formació o bé per accions posteriors, i llur presència es reflecteix palesament en les propietats elèctriques, òptiques, magnètiques, tèrmiques i mecàniques d’un sòlid, les quals depenen del nombre i de la classe de defectes presents a la mostra considerada Els principals defectes d’un cristall són els defectes puntuals , els defectes lineals , els defectes superficials i els defectes volúmics Els defectes puntuals d’un sòlid són classificats en dues categories principals els deguts als àtoms que constitueixen…
transistor-transistor logic
Electrònica i informàtica
Família de circuits integrats lògics els components dels quals són principalment els transistors bipolars.
Els avantatges d’aquesta família són la facilitat d’utilització, la rapidesa, el consum reduït, una bona immunitat als sorolls i el baix cost Hom l’utilitza com a referència per a definir les característiques d’entrada i de sortida de les altres famílies Hom hi ha anat fent variacions i millores, que han donat lloc a les famílies d’alta velocitat TTL-H high speed i de baix consum TTL-L low power i les que inclouen el díode Schottky TTL-S Schottky i TTL-LS low power Schottky
lògica d’injecció integrada
Electrònica i informàtica
Família de circuits lògics basats en el transistor bipolar.
El circuit consisteix en tres transistors npn multicollectors, amb els terminals collectors connectats per a formar una porta I Els multicollectors permeten d’obtenir funcions lògiques intermèdies A l’entrada de cada transistor hi ha una font de corrent, dita injector de corrent, constituïda per un transistor pnp Merged transistor l’emissor del qual és constituït per la base del transistor d’entrada A causa d’això la família lògica IIL presenta la densitat d’integració més alta de totes les famílies lògiques bipolars, amb un consum de potència molt menor que els circuits TTL , tot i que són…
díode
díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…
corrent invers de saturació
Electrònica i informàtica
Corrent a través d’un díode, una junció pn o una barrera Schottky, polaritzat en invers.
S'anomena de saturació perquè el seu valor és independent del valor de la polarització aplicada
junció
Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…
transistor d’efecte de camp metall-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat